功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。

TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶體管）的可靠性評(píng)測(cè)是一個(gè)綜合性的評(píng)估過程，是確保TFT液晶屏等電子產(chǎn)品質(zhì)量和性能穩(wěn)定的重要環(huán)節(jié)。

CP測(cè)試是指在晶圓還未切割和封裝之前，直接在晶圓上對(duì)每一個(gè)芯片單元（Die）進(jìn)行的電性和功能性測(cè)試。

集成電路測(cè)試是確保芯片質(zhì)量的關(guān)鍵步驟，其中最主要的兩類測(cè)試是CP測(cè)試（Chip Probing）和FT測(cè)試（Final Test）。

探針卡在集成電路測(cè)試中的作用至關(guān)重要。它不僅是ATE與晶圓之間的接口，也是確保芯片良率和質(zhì)量的重要工具。

參數(shù)測(cè)試通常是在晶圓片制造過程完成后 (即已進(jìn)行了鈍化) 和對(duì)產(chǎn)品裸片的電氣性能分選(電分選)前執(zhí)行。

每一顆功率芯片都要進(jìn)行指標(biāo)測(cè)試，每一張晶圓都要進(jìn)行篩選測(cè)試。在片的篩選測(cè)試必須要具備的是晶圓自動(dòng)化測(cè)試夾具，即自動(dòng)化高壓探針臺(tái)，以及靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀表。

在芯片的規(guī)格書中，對(duì)散熱設(shè)計(jì)最有幫助的有三個(gè)值：功耗，溫度要求和熱阻參數(shù)。

封測(cè)在集成電路領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色。具體可以分為：晶圓測(cè)試、芯片封裝、芯片終測(cè)、系統(tǒng)級(jí)測(cè)試4個(gè)階段。

接觸式高低溫沖擊機(jī)，能滿足高溫或者低溫條件下帶電測(cè)試需求，系統(tǒng)可以在IC上提供快速和準(zhǔn)確的溫度轉(zhuǎn)換。

Mechanical Devices開發(fā)生產(chǎn)并向主要半導(dǎo)體器件制造商提供創(chuàng)新的成本效益熱控制單元，以測(cè)試IC器件。

高加速提升測(cè)試和高加速應(yīng)力篩選是什么意思呢？它們與老化測(cè)試有何不同？

老化測(cè)試是篩選和檢測(cè)其產(chǎn)品中任何高潛在故障的最佳方法。

測(cè)試過程中使用的老化測(cè)試類型將取決于不同的要求。如果不確定哪種測(cè)試方法最適合，可以參照以下三種不同類型的可用測(cè)試及其優(yōu)缺點(diǎn)，來選擇適用的方法。

準(zhǔn)分子（最初是激發(fā)二聚體的簡(jiǎn)稱）是由兩種物質(zhì)形成的短壽命二聚體或異二聚體分子，其中至少一種物質(zhì)的價(jià)殼層被電子完全填充（例如，惰性氣體）。

通過進(jìn)行老化測(cè)試來復(fù)制實(shí)際的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)力環(huán)境有助于降低故障率。老化測(cè)試對(duì)于確保生產(chǎn)線的質(zhì)量控制至關(guān)重要。

驗(yàn)證一個(gè)產(chǎn)品的工作壽命最直接的方法就是直接模擬它實(shí)際受到的工作環(huán)境，觀察它正常工作的時(shí)間。

SOC測(cè)試是保證芯片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵步驟。隨著SOC集成度的提高，測(cè)試復(fù)雜性也顯著增加，需要更多的測(cè)試向量和時(shí)間。

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、集成電路和其他電子設(shè)備的設(shè)計(jì)、制造和可靠性測(cè)試過程中。

集成電路測(cè)試的基本原則是通過測(cè)試向量對(duì)芯片施加激勵(lì)，測(cè)量芯片響應(yīng)輸出(response)，與事先預(yù)測(cè)的結(jié)果比較。

靜電卡盤就是一個(gè)典型的細(xì)分零部件市場(chǎng)，其在半導(dǎo)體制造工藝的多個(gè)環(huán)節(jié)扮演著重要作用。

HBM 制造的關(guān)鍵是TSV 工藝，它的目的是會(huì)在芯片上打孔。

靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)，應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過度電應(yīng)力(EOS: Electrical Over Stress)破壞的主要元兇

光電子器件是電子信息產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，是光電子技術(shù)的關(guān)鍵和核心部件。

400G光模塊主要用于光電轉(zhuǎn)換，電信號(hào)在發(fā)送端被轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，然后通過光纖傳輸，在接收端，光信號(hào)被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。

雙85試驗(yàn)是一種環(huán)境應(yīng)力加速試驗(yàn)，通常在溫度85℃、濕度85%RH的條件下進(jìn)行。這種試驗(yàn)主要用于評(píng)估產(chǎn)品在高溫高濕環(huán)境下的性能和穩(wěn)定性。

通過使用SLT在仿真的終端環(huán)境中對(duì)待測(cè)芯片進(jìn)行功能測(cè)試，設(shè)備制造商可以預(yù)防使用傳統(tǒng)晶圓和封裝測(cè)試技術(shù)難以檢測(cè)到的漏檢故障。

HAST測(cè)試是一種用于評(píng)估產(chǎn)品在高溫、高濕以及高壓條件下的可靠性和壽命的測(cè)試方法。

系統(tǒng)級(jí)測(cè)試（SLT）是指在仿真的終端使用場(chǎng)景中對(duì)待測(cè)芯片（DUT）進(jìn)行測(cè)試。

芯片HAST測(cè)試是一種用于評(píng)估產(chǎn)品在高溫、高濕以及高壓條件下的可靠性和壽命的測(cè)試方法。

ZONGLEN 熱流儀可兼容市面上各品牌光學(xué)檢測(cè)設(shè)備，完成再電高低溫環(huán)境下的光學(xué)性能測(cè)試，是光學(xué)檢測(cè)設(shè)備必不可少的組成之一。

常見的非恒定應(yīng)力譜和組合應(yīng)力包括：步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)；漸進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)；?高加速壽命試驗(yàn)（HALT）（設(shè)備級(jí)）；高加速應(yīng)力篩選（HASS）（設(shè)備級(jí)）；高加速溫度和濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HAST）（零件級(jí)）。

光模塊作為光通信中的重要組成部分，是實(shí)現(xiàn)光信號(hào)傳輸過程中光電互相轉(zhuǎn)換的光電子器件。

在劃片之前必須經(jīng)過的CP芯片測(cè)試，一方面驗(yàn)證IC各項(xiàng)參數(shù)及功能是否達(dá)到設(shè)計(jì)要求，另一方面把參數(shù)或功能失效的IC從中標(biāo)示出來。

隨著IC產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，其中測(cè)試的精確度及穩(wěn)定性是兩大難題，尤其在量產(chǎn)ATE測(cè)試時(shí)表現(xiàn)更為嚴(yán)重。

IC測(cè)試主要的目的是將合格的芯片與不合格的芯片區(qū)分開，保證產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。

在AECQ100車規(guī)認(rèn)證流程中，很多的實(shí)驗(yàn)前后都需要進(jìn)行常溫或者高低溫的測(cè)試。

加速試驗(yàn)?zāi)Ｐ褪菍?duì)產(chǎn)品在正常應(yīng)力水平下以及一個(gè)或多個(gè)加速應(yīng)力水平下的關(guān)鍵因素進(jìn)行試驗(yàn)而導(dǎo)出的。

HAST測(cè)試被廣泛應(yīng)用于各種芯片產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)過程中，包括微處理器、存儲(chǔ)芯片、傳感器芯片等

加速試驗(yàn)是指在保證不改變產(chǎn)品失效機(jī)理的前提下，通過強(qiáng)化試驗(yàn)條件，使受試產(chǎn)品加速失效，來評(píng)估產(chǎn)品在正常條件下的可靠性或壽命指標(biāo)。

HAST加速老化技術(shù)是一種在芯片行業(yè)常用的測(cè)試方法，用于模擬芯片在實(shí)際使用中可能遇到的極端環(huán)境和高溫高濕的工作環(huán)境，以檢驗(yàn)芯片的可靠性和壽命。

IGBT是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于大功率應(yīng)用中，如電動(dòng)汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等。

光模塊對(duì)單板體現(xiàn)的主要性能指標(biāo)共同決定了光模塊的性能和適用范圍。

浸沒式液冷是指將發(fā)熱的電子元器件（如CPU、GPU、內(nèi)存和硬盤等）浸沒在冷媒（冷卻液）中，依靠液體流動(dòng)循環(huán)帶走熱量。

光子集成電路（PIC）是利用光子學(xué)原理實(shí)現(xiàn)信息傳輸和處理的電路，它可以在高速、大帶寬和低能耗的條件下實(shí)現(xiàn)高效的信息傳輸和處理。

晶圓背冷基本上用的是氦氣冷卻，因?yàn)闅庀嗟暮饩哂型怀龅幕瘜W(xué)惰性，且熱導(dǎo)率、比熱容均大于除氫氣以外的任何其他氣體。

光模塊能耗的激增給數(shù)據(jù)中心的成本端帶來巨大壓力，解決其能耗問題成為當(dāng)下光模塊技術(shù)更新的關(guān)鍵。

溫度循環(huán)試驗(yàn)、溫度沖擊試驗(yàn)和熱沖擊試驗(yàn)等，被用于模擬和評(píng)估光模塊在高低溫沖擊下的性能表現(xiàn)。

車規(guī)級(jí)汽車電子比較相關(guān)的就是 AEQ 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。AEC-Q100 是一種基于封裝集成電路應(yīng)力測(cè)試的失效機(jī)制。

光模塊又稱光收發(fā)一體模塊，是實(shí)現(xiàn)光通信系統(tǒng)中光信號(hào)和電信號(hào)轉(zhuǎn)換的核心部件，主要由光器件、功能電路和光接口等構(gòu)成。

車規(guī)級(jí)芯片作為汽車的核心組成部分，對(duì)車規(guī)級(jí)芯片進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試，是確保汽車質(zhì)量和安全性的重要手段。

HAST高加速壽命試驗(yàn)箱，主要用于評(píng)估在濕度環(huán)境下產(chǎn)品或者材料的可靠性

AEC-Q為車用可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)車載芯片進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性確認(rèn)，特別是對(duì)產(chǎn)品功能與性能進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范測(cè)試。

高低溫試驗(yàn)箱零配件維護(hù)保養(yǎng)在全部維護(hù)保養(yǎng)中占十分關(guān)鍵的一部分，日常維護(hù)保養(yǎng)不可忽視。

兩箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱是一種用于測(cè)試產(chǎn)品耐受能力的設(shè)備，通過不斷變換溫度，檢測(cè)產(chǎn)品是否出現(xiàn)受損情況。

接觸式高低溫沖擊機(jī)ThermoTST ATC系列采用先進(jìn)的設(shè)計(jì)和技術(shù)，具有廣泛的溫度范圍

晶圓溫循可靠性測(cè)試的種類和測(cè)試條件

晶圓背冷技術(shù)作為一種有效的溫度管理手段，不僅保證了晶圓溫度的均勻性，還增強(qiáng)了晶圓處理過程中的穩(wěn)定性。

HASS也稱高加速應(yīng)力篩選實(shí)驗(yàn)，目的是為了使得生產(chǎn)的產(chǎn)品不存在任何隱含的缺陷或者在產(chǎn)品還沒出廠前找到并解決這些缺陷。

溫度偏差：試驗(yàn)箱（室）穩(wěn)定狀態(tài)下，工作空間各測(cè)量點(diǎn)在規(guī)定時(shí)間內(nèi)實(shí)測(cè)最高溫度和最低溫度與設(shè)定溫度的上下偏差。

氣處理裝置的目標(biāo)是降低廢氣中的有害物質(zhì)濃度，確保排放符合環(huán)境法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)，保護(hù)環(huán)境和人類健康。

真空吸盤主要有非熱卡盤和熱卡盤兩種類型。熱卡盤具有整體加熱或冷卻功能，可在加工過程中將晶圓保持在特定溫度。

TC高溫循環(huán)測(cè)試意義在于證實(shí)極高溫度，極低溫度和高溫與低溫交替作用時(shí)，機(jī)械應(yīng)力對(duì)于器件焊接性能的作用。

隨著設(shè)計(jì)規(guī)則的縮小，許多蝕刻工藝都轉(zhuǎn)向了非?？焖俚牡入x子體蝕刻工藝步驟，這些步驟需要對(duì)所有反應(yīng)輸入進(jìn)行高度精確的控制。

等離子體蝕刻可能是半導(dǎo)體制造中最重要的工藝，也可能是僅次于光刻的所有晶圓廠操作中最復(fù)雜的。

HALT不是通過/失敗測(cè)試，而是對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行的一系列測(cè)試，以幫助提高產(chǎn)品的可靠性。

在芯片設(shè)計(jì)階段，就需要根據(jù)各自芯片的規(guī)格參數(shù)規(guī)劃好測(cè)試內(nèi)容和測(cè)試方法。

ThermoTST TS560溫度測(cè)試范圍-70℃到+225℃，滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的各個(gè)等級(jí)環(huán)境工作溫度范圍。

芯片測(cè)試一般會(huì)分2大步驟，一個(gè)叫CP(Chip Probing)，一個(gè)叫FT(Final Test)。CP是針對(duì)晶圓的測(cè)試，F(xiàn)T是針對(duì)封裝好的芯片的測(cè)試。

ThermoTST高低溫循環(huán)沖擊機(jī)建議每 12 個(gè)月進(jìn)行一次保養(yǎng)及溫度校準(zhǔn)工作，更換如濾芯之類的耗材，時(shí)間間隔也取決于設(shè)備的應(yīng)用環(huán)境和使用時(shí)間。

在測(cè)試機(jī)和探針臺(tái)之間建立一組穩(wěn)定的信號(hào)連接關(guān)系，則需要臨時(shí)將被測(cè)試器件實(shí)際安裝在半導(dǎo)體測(cè)試裝置上，通過半導(dǎo)體測(cè)試裝置上設(shè)置的信號(hào)組件與被測(cè)試之間輸入輸出測(cè)試信號(hào)來執(zhí)行測(cè)試

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作已成為各行各業(yè)中不可或缺的重要組成部分，其中一些常見的術(shù)語(yǔ)及其含義能更好地理解半導(dǎo)體芯片的工作原理。

WAT又稱WAT工藝控制監(jiān)測(cè)，是通過測(cè)試晶圓上特定測(cè)試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)，檢測(cè)每片晶圓產(chǎn)品的工藝情況，評(píng)估半導(dǎo)體制造過程的質(zhì)量和穩(wěn)定性，判斷晶圓產(chǎn)品是否符合該工藝技術(shù)平臺(tái)的電性規(guī)格要求。

車規(guī)級(jí)芯片，是應(yīng)用到汽車中的芯片，不同于消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)，該類芯片對(duì)可靠性要求更高

高低溫?zé)崃鲀x到貨后，必須要進(jìn)行五大檢查后方可放心使用，最后一個(gè)尤為重要！

環(huán)境噪聲制訂標(biāo)準(zhǔn)的依據(jù)是環(huán)境基本噪聲。各國(guó)大都參考ISO推薦的基數(shù)（例如睡眠為30分貝），根據(jù)不同時(shí)間、不同地區(qū)和室內(nèi)噪聲受室外噪聲影響的修正值以及本國(guó)具體情況來制訂。

ThermoTST系列高低溫?zé)崃鲀x如何操作？三步就能熟練操作高低溫?zé)崃鲀x！

半導(dǎo)體顯微鏡品牌擁有著出色的性能、精確的分析和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

在晶圓制造完成之后，晶圓測(cè)試是一步非常重要的測(cè)試。晶圓測(cè)試也就是芯片測(cè)試（die sort）或晶圓電測(cè)（wafer sort）。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上，主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測(cè)試及晶圓封裝四大步驟。

針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐，多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu) 提出并研究，一些結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案已成功應(yīng)用在 商用功率器件上。

光通訊、芯片、集成電路、實(shí)驗(yàn)室研究等領(lǐng)域在可靠性測(cè)試過程中多項(xiàng)測(cè)試要求都需要搭載高低溫循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)來完成

功率半導(dǎo)體作為電力電子系統(tǒng)的核心組成部分，已經(jīng)廣泛應(yīng)用到生活、交通、電力、工業(yè)控制、航空航天、艦船等領(lǐng)域。

高導(dǎo)熱封裝材料及連接工藝、去鍵合線連接、大面積面接觸、多散熱路徑同時(shí)縮短散熱路程、降低散熱路徑的熱阻等可能是未來高壓高溫大功率器件封裝應(yīng)具備的關(guān)鍵特征。

為分析時(shí)鐘芯片的各項(xiàng)特性，高低溫循環(huán)沖擊機(jī)與其測(cè)試設(shè)備搭配，提供快速可靠的溫度環(huán)境。

隨著航空航天、汽車電子、軍用、光伏、工業(yè)自動(dòng)化等許多領(lǐng)域技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片在各種極端溫度環(huán)境下的應(yīng)用也越來越廣泛。

ThermoTST TS760高低溫循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用于產(chǎn)品的特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)

密封元器件在生產(chǎn)過程中有一個(gè)容易被生產(chǎn)方忽略并導(dǎo)致后續(xù)使用過程中引發(fā)元器件失效的風(fēng)險(xiǎn)，就是密封元器件內(nèi)部出現(xiàn)的多余微小松散顆粒。

中冷高低溫沖擊設(shè)備廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信芯片、微電子器件、集成電路等行業(yè).

存儲(chǔ)器芯片在電子系統(tǒng)中負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，是半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品的核心，其存儲(chǔ)量與讀取速度直接影響電子設(shè)備性能。

芯片測(cè)試幾乎都離不開溫度沖擊試驗(yàn)，IGBT需要用溫度沖擊試驗(yàn)機(jī)做一些環(huán)境可靠性試驗(yàn)。

芳菲四月天，春光無(wú)限好，正是活動(dòng)時(shí)，在這個(gè)春意盎然的季節(jié)。

電子元器件測(cè)試篩選服務(wù)提高產(chǎn)品使用可靠性，特別是針對(duì)進(jìn)口元器件，通過“二次篩選”保證產(chǎn)品質(zhì)量可控，提高裝備整體可靠性。

IGBT?損耗特性和溫度息息相關(guān),因此標(biāo)定出常 溫?25 ℃?和高溫?125 ℃?時(shí)的損耗值作為基礎(chǔ),并在?25 ℃和?125 ℃參數(shù)基礎(chǔ)上,通過線性化處理,獲得 全溫度范圍的損耗數(shù)據(jù)

在高低溫條件與駐留時(shí)間目前新的規(guī)范會(huì)要求是依據(jù)測(cè)試品表面溫度，而不是試驗(yàn)設(shè)備測(cè)試區(qū)的空氣溫度。

半導(dǎo)體業(yè)的一個(gè)不可逆轉(zhuǎn)的趨勢(shì)是芯片復(fù)雜度持續(xù)提高，對(duì)芯片測(cè)試提出了更高的要求。

ThermoTST熱流儀搭配閂鎖測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行靜電測(cè)試增強(qiáng)的數(shù)據(jù)集功能提供了靈活性，以滿足當(dāng)今系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)的測(cè)試需求。

Commercial、Industrial、Automotive是業(yè)界對(duì)芯片行業(yè)的簡(jiǎn)單劃分，各自領(lǐng)域?qū)煽啃缘囊笠踩徊煌?/p>

隔熱風(fēng)罩在冷熱沖擊機(jī)系統(tǒng)中是一個(gè)很重要的組成部分，通常是用來防止環(huán)境空氣進(jìn)入，創(chuàng)建一個(gè)封閉的，可重復(fù)的，熱傳遞環(huán)境。

在芯片的國(guó)產(chǎn)化浪潮下，國(guó)產(chǎn)芯片的出貨量和替代率近年來迅速飆升。

汽車半導(dǎo)體的飛速發(fā)展，我們就不得不提到由于半導(dǎo)體的發(fā)展而帶來的一些挑戰(zhàn)，特別是測(cè)試行業(yè)的挑戰(zhàn)。

芯片測(cè)試用以評(píng)估芯片的壽命和可能的質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)。

中冷低溫研發(fā)的ThermoTST?系列熱流儀有更廣泛的溫度范圍，應(yīng)用廣泛，能滿足更多生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。

ThermoTST TS系列高低溫測(cè)試機(jī)有著不同于傳統(tǒng)高低溫箱的獨(dú)特優(yōu)勢(shì): 溫度變化速率快

ThermoTST系列高低溫測(cè)試機(jī)廣泛應(yīng)用于照明級(jí)大功率 ?LED 器件, LED 封裝的可靠性測(cè)試

ThermoTST高低溫測(cè)試機(jī)解決了傳統(tǒng)驗(yàn)證方法缺陷問題，提供快速高低溫沖擊能力，作為一種必要的測(cè)試手段輔助生產(chǎn)通訊模塊

中冷低溫研發(fā)的ThermoTST系列熱流儀-精確的高低溫氣流循環(huán)系統(tǒng)，能夠精確控制熱、冷空氣，應(yīng)用在測(cè)試元器件、混合電路、模塊、PCB和裝配

ThermoTST高低溫循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)與傳統(tǒng)高低溫測(cè)試箱存在很多差異，不論是工作原理還是產(chǎn)品特點(diǎn)，都是優(yōu)異于傳統(tǒng)溫箱的

ThermoTST是純機(jī)械制冷，無(wú)需液氮或任何其他消耗性制冷劑。

ThermoTST TS580 用于 100G/400G光模塊量產(chǎn)測(cè)試

中國(guó)作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者，半導(dǎo)體設(shè)備增速顯著高于全球。

元器件的可靠性是指在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)和規(guī)定的條件下，產(chǎn)品完成規(guī)定功能的能力.

高低溫沖擊氣流儀用于IGBT、傳感器、小型模塊組件，進(jìn)行特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)。

我們公司的隔熱玻璃風(fēng)罩尺寸從 3寸到 7 寸常規(guī)產(chǎn)品可適配于客戶各類產(chǎn)品尺寸，并且可以根據(jù)客戶現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)品尺寸進(jìn)行隔熱風(fēng)罩定制。

冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)TS580搭配長(zhǎng)川CTT3600測(cè)試機(jī)應(yīng)用于功率器件特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)

離子注入能精確控制摻雜的濃度分布和摻雜深度，因而適于制作極低的濃度和很淺的結(jié)深

IGBT功率模塊工作在多場(chǎng)耦合的環(huán)境中，封裝狀態(tài)參數(shù)受到多物理場(chǎng)控制。

現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)和監(jiān)測(cè)方式極大地提高了Si基功率模塊工作的穩(wěn)定性

露點(diǎn)換算為ppm按下式計(jì)算：P/1013×104

高低溫沖擊氣流儀 TS560 GPIB通訊（IEE488）完美兼容華峰測(cè)控, 操作簡(jiǎn)單.

主流使用的封裝形式有焊接型和壓接型封裝

世界電子測(cè)量行業(yè)已經(jīng)發(fā)展了很多年了，到現(xiàn)在為止，市場(chǎng)高度集中

常用的可測(cè)性設(shè)計(jì)方法包括基于掃描鏈（scan chain）的測(cè)試方法和內(nèi)建自測(cè)試電路。

高低溫沖擊氣流儀搭配ATE進(jìn)行特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)。

為解決高功率密度下 IGBT 功率模塊散熱問題，經(jīng)過多年的發(fā)展，形成了彈簧式和直接接觸式兩種壓接封裝。

可靠性（Reliability）則是對(duì)產(chǎn)品耐久力的測(cè)量,?我們主要典型的IC產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線（Bathtub Curve）來表示

DFT技術(shù)簡(jiǎn)單說就是在芯片設(shè)計(jì)中添加DFT邏輯，然后等芯片制造完成后，通過事先加入的DFT邏輯對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，挑選出沒有問題的芯片。

WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)通常包含該工藝平臺(tái)所有的有源器件和無(wú)源器件

WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)通常包含該工藝平臺(tái)所有的有源器件和無(wú)源器件

芯片在封裝完畢后，需要進(jìn)行老化實(shí)驗(yàn)，確保交到顧客手中的芯片工作性能的穩(wěn)定性和可靠性。

SOC的設(shè)計(jì)流程，包括數(shù)字電路設(shè)計(jì)前端和后端的全流程。

芯片測(cè)試是確保產(chǎn)品良率和成本控制的重要環(huán)節(jié)，主要目的是保證芯片在惡劣環(huán)境下能完全實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)規(guī)格書所規(guī)定的功能及性能指標(biāo)

MEMS是一種制造技術(shù)，諸如杠桿、齒輪、活塞、發(fā)動(dòng)機(jī)甚至蒸汽機(jī)都是由MEMS制造的。

在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點(diǎn)需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。

在自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)中，通常會(huì)對(duì)函數(shù)發(fā)生器指定幾項(xiàng)具體的規(guī)范，比如上升時(shí)間、帶寬、信號(hào)源阻抗和波幅準(zhǔn)確度。

關(guān)于電阻在電路中的作用，有一些基本常識(shí)，比如電阻作為濾波網(wǎng)絡(luò)的一部分可以減少噪音干擾，或作為衰減器將高電壓信號(hào)引入可接受范圍的連接設(shè)備中。

隨著SiC MOSFET制備技術(shù)的改進(jìn)和驅(qū)動(dòng)問題的解決，其將在電力電子的高頻開關(guān)領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用

PXI—針對(duì)基于PCI/PCIe的模塊化測(cè)試儀器和開關(guān)平臺(tái)的開放式工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

TS-780做可靠性試驗(yàn)不僅減少了器件潛在的各種誤差及失效機(jī)制，還有效地控制和保證器件的可靠性。

與基于硅的功率器件不同的是，SiC的氧化層可靠性試驗(yàn)設(shè)置還必須涵蓋阻斷模式下的穩(wěn)定性

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是構(gòu)建我國(guó)戰(zhàn)略科技力量自立自強(qiáng)的核心支撐產(chǎn)業(yè)，而半導(dǎo)體零部件則是決定我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域

在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，測(cè)試開發(fā)和量產(chǎn)測(cè)試是提升芯片設(shè)計(jì)公司的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的重要環(huán)節(jié)，在半導(dǎo)體行業(yè)中的地位舉足輕重。

半導(dǎo)體零部件是指在材料、結(jié)構(gòu)、工藝、品質(zhì)和精度、可靠性及穩(wěn)定性等性能方面達(dá)到了半導(dǎo)體設(shè)備及技術(shù)要求的零部件

高低溫沖擊氣流儀如今十分活躍在電子元器件/模塊冷熱測(cè)試領(lǐng)域。

高低溫沖擊設(shè)備TS-560、TS-580、TS-760等都可以進(jìn)行芯片失效分析，同時(shí)提供特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試等可靠性試驗(yàn)

隨著集成電路制造技術(shù)的進(jìn)步，人們已經(jīng)能制造出電路結(jié)構(gòu)相當(dāng)復(fù)雜、集成度很高、功能各異的集成電路。但是這些高集成度，多功能的集成塊僅是通過數(shù)目有限的引腳完成和外部電路的連接，這就給判定集成電路的好壞帶來不少困難。

第24屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)于2023年9月6日-8日在深圳國(guó)際會(huì)展中心開展，成都中冷低溫科技有限公司將赴約參展，本公司在本次展會(huì)的展位號(hào)為10A61。

自古以來人們就掌握了測(cè)試技術(shù)，生產(chǎn)測(cè)試的目的是把好的物品和有瑕疵的物品分離出來，集成電路行業(yè)，測(cè)試的目標(biāo)是把功能正確的芯片和有瑕疵的芯片分離出來，保證客戶使用的是功能完整的芯片。

半導(dǎo)體制造CVD/ALD工藝用的氣體，主要包含：Low-K、High-K、阻擋層和Chamber Clean用氣體

隨著時(shí)代的發(fā)展,很多新興的產(chǎn)業(yè)和詞語(yǔ)被廣泛的應(yīng)用起來.氣體管道工程也逐漸被大家熟知。

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，而測(cè)試環(huán)節(jié)主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。

芯片從設(shè)計(jì)到成品有幾個(gè)重要環(huán)節(jié)，分別是設(shè)計(jì)->流片->封裝->測(cè)試，但芯片成本構(gòu)成的比例確大不相同，一般為人力成本20%，流片40%，封裝35%，測(cè)試5%

中冷低溫科技提供高質(zhì)量高性價(jià)比的IC芯片溫度沖擊測(cè)試機(jī) TS-780，可以精準(zhǔn)快速的實(shí)現(xiàn)電子芯片等電子元件的高低溫循環(huán)測(cè)試 Thermal?cycle、冷熱沖擊試驗(yàn) Thermal?stock?、老化試驗(yàn)、可靠性試驗(yàn)等

高低溫沖擊氣流儀 TS-760熱測(cè)機(jī)設(shè)備搭配 Keysight 儀器機(jī)臺(tái), 提供 IGBT, RF Device, MOSFET, Hi Power LED 等功率器件 -50℃ - 250℃?溫度測(cè)試解決方案

使用氣體時(shí)，對(duì)氣體存儲(chǔ)安置不當(dāng)，如平放或倒置氣瓶、氣體閥門長(zhǎng)時(shí)間不檢修造成氣體泄漏所引起的毒害，爆炸等潛在危險(xiǎn)情況。

ThermoTST TS系列熱流儀利用創(chuàng)新的溫度測(cè)試解決方案, 方便您直接在實(shí)驗(yàn)室及工作平臺(tái)上進(jìn)行光組件, PCB電路板、IC芯片、器件模塊等測(cè)試.

針對(duì)某客戶對(duì)集成芯片的測(cè)試要求, 成都中冷低溫根據(jù)客戶現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)品尺寸進(jìn)行定制，成 功做出方形帶卡鋼罩

中冷高低溫沖擊氣流儀 Temperature Forcing Systems 日常維護(hù)保養(yǎng)。

高低溫氣流溫度沖擊系統(tǒng)是一種用于電子元器件/模塊冷熱測(cè)試的高低溫氣流循環(huán)沖擊設(shè)備

成都中冷低溫科技有限公司作為高低溫溫度循環(huán)測(cè)試機(jī)（熱流儀）的售后服務(wù)商，可以提供?ThermoStream/Temptronic/Thermonics高低溫?zé)崃鲀x全系的售后維修服務(wù)。

TS-780H高低溫?zé)崃鲀x系統(tǒng)現(xiàn)在可以與射頻行業(yè)各類箱室進(jìn)行配對(duì).

作為超高速高低溫循環(huán)試驗(yàn)機(jī)供應(yīng)商，中冷可以提供多種標(biāo)準(zhǔn)或非標(biāo)定制的腔體、治具、風(fēng)罩等產(chǎn)品。

中冷高低溫測(cè)試機(jī)解決了傳統(tǒng)驗(yàn)證方法缺陷問題, 提供快速高低溫沖擊能力.

ThermoTST TS系列高低溫測(cè)試機(jī)可與多種儀器聯(lián)用，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片高低溫測(cè)試。

Thermostream TS系列高低溫測(cè)試機(jī)可與液晶顯示屏測(cè)量系統(tǒng)聯(lián)用進(jìn)行 LED 環(huán)境溫度測(cè)試.

Ts-780系統(tǒng)具有匹配合理、可靠性高、使用維護(hù)方便等優(yōu)點(diǎn)

集成電路IC芯片溫度沖擊測(cè)試機(jī)外形美觀大方，結(jié)構(gòu)緊湊，采用移動(dòng)式設(shè)計(jì)，更換場(chǎng)地方便簡(jiǎn)易。

國(guó)內(nèi)環(huán)境可靠性檢測(cè)廠商是汽車芯片可靠性提升的一份助力。成都中冷低溫科技有限公司，就是國(guó)內(nèi)致力于可靠性環(huán)境設(shè)備的制造商之一。

ThermoTST快速循環(huán)溫度沖擊系統(tǒng)是一臺(tái)精密氣流溫度循環(huán)沖擊系統(tǒng)，具有更廣泛的溫度范圍。

電源芯片在出廠時(shí)需要經(jīng)過測(cè)試芯片在快速變溫過程中的穩(wěn)定性, 這點(diǎn)十分重要.?成都中冷低溫科技ThermoTST? 高低溫沖擊測(cè)試機(jī)提供 -100°C 至 +350°C 快速溫度沖擊范圍, 滿足各類PMIC電源管理芯片的高低溫沖擊測(cè)試.

目前，晶圓測(cè)試是晶圓制造過程中必不可少的一部分。在早期的半導(dǎo)體制造中，每個(gè)芯片是在成型、切塊、包裝后進(jìn)行測(cè)試的。由于這種做法成本高且效率低，在1970年首次引進(jìn)了一種更有效的晶圓級(jí)測(cè)試過程，但這種方法直到80年代末才被廣泛應(yīng)用。這些晶圓需要進(jìn)行一個(gè)簡(jiǎn)單的測(cè)試，用一些電子參數(shù)來確定功能正常的芯片的比例，也稱為良率，然后將其切成小塊并單獨(dú)包裝。然而，由于半導(dǎo)體的應(yīng)用及相關(guān)要求的快速發(fā)展，其他參數(shù)也變得越來越重要，即溫度和溫度調(diào)節(jié)。

現(xiàn)在被稱作半導(dǎo)體器件的種類如下所示。按照其制造技術(shù)可分為分立器件半導(dǎo)體、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、存儲(chǔ)器等大類，一般來說這些還會(huì)被再分成小類。IC除了在制造技術(shù)上的分類以外，還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，如按其所處理的信號(hào)可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能IC，以及按IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類等。

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到的關(guān)注越來越多，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈也活躍了起來。尤其是在全球芯片產(chǎn)能緊張的情況下，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的發(fā)展成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。從整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)來看，半導(dǎo)體設(shè)備位于產(chǎn)業(yè)鏈的上游，其市場(chǎng)規(guī)模常常隨著下游半導(dǎo)體的技術(shù)發(fā)展和市場(chǎng)需求而波動(dòng)。根據(jù)SEMI預(yù)測(cè)，2020年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)創(chuàng)紀(jì)錄的689億美元，同比增長(zhǎng)16%，2021年將達(dá)719億美元，同比增長(zhǎng)4.4%，2022年仍舊保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，市場(chǎng)將達(dá)761億美元，同比增長(zhǎng)5.8%。

CIOE光博會(huì)，作為極具規(guī)模及影響力的光電產(chǎn)業(yè)綜合性展會(huì)，第23屆光電博覽會(huì)于2021年9月16-18日在深圳國(guó)際會(huì)展中心盛大開幕，成都中冷作為高低溫設(shè)備領(lǐng)域的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商攜帶多款高低溫沖擊熱流儀（Temperature Forcing Systems）應(yīng)邀展會(huì)，重裝登場(chǎng)。

產(chǎn)品設(shè)計(jì)成型后，必須對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行可靠性試驗(yàn)，產(chǎn)品可靠性試驗(yàn)是激發(fā)潛在失效模式，提出改進(jìn)措施，確定項(xiàng)目或系統(tǒng)是否滿足預(yù)先制定的可靠性要求的必須步驟?？煽啃栽囼?yàn)是為了確定已通過可靠性鑒定試驗(yàn)而轉(zhuǎn)入批量生產(chǎn)的產(chǎn)品在規(guī)定的條件下是否達(dá)到規(guī)定可靠性要求，驗(yàn)證產(chǎn)品的可靠性是否隨批量生產(chǎn)期間工藝，工裝，工作流程，零部件質(zhì)量等因素的變化而降低。只有經(jīng)過這些，產(chǎn)品性能才是可以信任的，產(chǎn)品的質(zhì)量才是過硬的。

基于磁熱效應(yīng)的固態(tài)制冷技術(shù)-磁制冷技術(shù)，具有綠色環(huán)保、潛在高效、噪音小、振動(dòng)小等特點(diǎn)，有望成為具有競(jìng)爭(zhēng)力和應(yīng)用前景的制冷技術(shù)之一。由于空間探測(cè)器等技術(shù)的需求，絕熱去磁低溫技術(shù)得以快速地發(fā)展，隨后室溫磁制冷技術(shù)逐漸興起。本文結(jié)合旋轉(zhuǎn)式Halbach磁路技術(shù)與多軸同步控制技術(shù)，搭建出一臺(tái)小體積、旋轉(zhuǎn)內(nèi)磁體式室溫磁制冷系統(tǒng)，并進(jìn)行了初步實(shí)驗(yàn)研究。

大型低溫制冷系統(tǒng)是相對(duì)于脈沖管制冷機(jī)、G-M 制冷機(jī)以及斯特林制冷機(jī)等小型制冷機(jī)而言的，它是以膨脹機(jī)為核心產(chǎn)冷部件、并形成回路的制冷系統(tǒng)。其中大型氦低溫系統(tǒng)（主要包括氦制冷機(jī)和氦液化器）是指以氦為工質(zhì)采用透平膨脹機(jī)的大型低溫系統(tǒng)。其被廣泛應(yīng)用于散裂中子源、正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)和超導(dǎo)托卡馬克等大科學(xué)裝置中，目的是冷卻超導(dǎo)線圈等熱負(fù)載。伴隨低溫超導(dǎo)、核能與高能物理等科學(xué)技術(shù)近年來的迅猛發(fā)展，相關(guān)學(xué)科對(duì)大型氦制冷系統(tǒng)提出了新的要求，由于這些系統(tǒng)在運(yùn)行中往往會(huì)產(chǎn)生熱脈沖，通過負(fù)載端傳導(dǎo)給制冷系統(tǒng)，從而對(duì)制冷系統(tǒng)產(chǎn)生熱沖擊，帶來系統(tǒng)工質(zhì)壓力和質(zhì)量流量的大幅波動(dòng)，進(jìn)而威脅壓縮機(jī)和透平等關(guān)鍵部件的安全運(yùn)行?，F(xiàn)有的大型氦制冷系統(tǒng)的控制系統(tǒng)并不能很好的處理類似熱沖擊的較大擾動(dòng)，使得大型氦制冷系統(tǒng)需要面對(duì)熱沖擊的新挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)此類挑戰(zhàn)，本文給出了一種基于模糊神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)方法的多變量協(xié)同控制策略。神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制具有學(xué)習(xí)功能，善于自適應(yīng)自學(xué)習(xí)，能夠適應(yīng)環(huán)境的變化自動(dòng)修改控制參數(shù)，反應(yīng)迅速，但魯棒性不高。而模糊控制具有高魯棒性的特點(diǎn)，因此，本文將兩者結(jié)合，建立了一個(gè)模糊神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制方法，期望能發(fā)揮出二者各自的優(yōu)勢(shì)。

天然氣作為清潔燃料是汽油、柴油理想的替代品之一，液化天然氣（LNG）具有儲(chǔ)存密度高，儲(chǔ)存壓力低，行駛里程長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于公交車、重卡等。LNG汽車的技術(shù)已經(jīng)相對(duì)成熟，但是BOG的排放問題一直沒有很好解決。目前對(duì)BOG的處理方式為再冷凝和直接壓縮，這兩種工藝均需加裝壓縮機(jī)，換熱器等大型設(shè)備，其成本高昂且難以小型化，限制了LNG在小型汽車上的應(yīng)用。天然氣的儲(chǔ)存方式有3種，分別為L(zhǎng)NG；CNG（Compressed Natural Gas，壓縮天然氣）和ANG（Adsorpted NatureGas，吸附天然氣）。ANG存儲(chǔ)能力在中壓（4.5 MPa）下為200 V/V(標(biāo)態(tài)下天然氣體積/吸附劑體積)；CNG的存儲(chǔ)能力為（24.8 MPa）220 V/V。本文利用ANG技術(shù)以解決LNG儲(chǔ)罐的BOG排放問題，設(shè)計(jì)了一套高比表面積活性炭吸附裝置及其配套測(cè)試系統(tǒng)，用以分析吸附儲(chǔ)罐對(duì)BOG的存儲(chǔ)能力。

熱管作為一種被動(dòng)式傳熱裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，適應(yīng)性強(qiáng)，造價(jià)低廉，其有效果導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)銅、鋁等常用型金屬的幾十倍，因此，被廣泛應(yīng)用于電子冷卻、太陽(yáng)能、核電站、地?zé)岬阮I(lǐng)域。脈動(dòng)熱管由Akachi在20世紀(jì)90年代提出，基本結(jié)構(gòu)為具有多個(gè)U型彎的蛇形毛細(xì)管路，管道首尾相連的為閉式環(huán)路型（CLPHP），不相連的為開式環(huán)路型（OLPHP）。脈動(dòng)熱管管路直徑小，汽液兩相容易以汽塞和液柱的形式存在，其工作依靠蒸發(fā)段和冷凝段的汽塞壓差形成的自激振蕩驅(qū)動(dòng)，因而不需要常規(guī)熱管的吸液芯結(jié)構(gòu)回液，而且也可以實(shí)現(xiàn)抗重力運(yùn)行。本文研究鋁基常規(guī)單環(huán)路和冷凝段帶有傾斜連通通道的板式脈動(dòng)熱管在不同充液率時(shí)的兩相流動(dòng)特性以及傳熱性能隨加熱功率的變化規(guī)律，并對(duì)兩種管路結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比，這在目前的研究中還未報(bào)道。

CSNS低溫系統(tǒng)完成了設(shè)備安裝，并隨即開始了調(diào)試工作?；诎踩紤]，工作人員先使用氦氣進(jìn)行了五次降溫測(cè)試。在調(diào)試過程中不斷優(yōu)化控制邏輯，確保降溫過程的平穩(wěn)可靠，并實(shí)現(xiàn)了一鍵全自動(dòng)降溫。4月開始，進(jìn)行超臨界氫降溫測(cè)試的準(zhǔn)備工作，包括氫系統(tǒng)配氣排放管路的漏率檢測(cè)、氫含量報(bào)警系統(tǒng)的校準(zhǔn)、控制邏輯的優(yōu)化等。在完成了氫安全的相關(guān)準(zhǔn)備工作后，低溫系統(tǒng)于4月21日和25日分別進(jìn)行了兩輪氫降溫測(cè)試，由于氫在33K附近存在劇烈的密度變化，導(dǎo)致溫度與壓力劇烈波動(dòng)，給調(diào)試帶來了巨大的困難，測(cè)試失敗。經(jīng)過對(duì)前兩輪測(cè)試數(shù)據(jù)的分析和經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，工作人員采用了分階段降溫的方法并優(yōu)化了壓力控制邏輯，在5月5日開始的第三次降溫測(cè)試中解決了溫度與壓力波動(dòng)的問題，歷經(jīng)28小時(shí)后成功完成了20K超臨界氫降溫。之后，低溫系統(tǒng)使用模擬負(fù)載分別加載了120W和160W的加熱器功率，模擬100kW質(zhì)子束流產(chǎn)生的動(dòng)態(tài)熱負(fù)荷，并在該狀態(tài)連續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行了48小時(shí)，測(cè)試取得成功。在連續(xù)進(jìn)行的8輪降溫測(cè)試過程中，低溫系統(tǒng)全體成員放棄節(jié)假日休息，保障了調(diào)試順利按進(jìn)度完成。