中國(guó)海關(guān)總署官網(wǎng)11月18日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，10月中國(guó)共進(jìn)口半導(dǎo)體制造設(shè)備4226臺(tái)，進(jìn)口額約20億3700萬美元，與去年同期相比分別下降39.8%和23.1%。10月份來自日本和美國(guó)等主要設(shè)備出口國(guó)的進(jìn)口量下降，而來自荷蘭的進(jìn)口則增加約一倍，而后者是光刻龍頭ASML的總部所在地。

半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約36% 

今年中報(bào)顯示，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備上市公司業(yè)績(jī)加速增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備上市公司訂單普遍高增長(zhǎng)，合同負(fù)債大幅增長(zhǎng)。截至2022年二季度末，設(shè)備公司前道設(shè)備的合同負(fù)債普遍延續(xù)增長(zhǎng)趨勢(shì)。

據(jù)了解，天風(fēng)證券以2022年以來規(guī)?；_招標(biāo)的5家晶圓廠為統(tǒng)計(jì)標(biāo)本，2022年1-7月份5家晶圓廠合計(jì)完成國(guó)產(chǎn)設(shè)備招標(biāo)230臺(tái)，國(guó)產(chǎn)化率約36%。

當(dāng)前，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的進(jìn)展中，比較突出的是：5項(xiàng)集成電路設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率超過20%。國(guó)產(chǎn)化率高的是去膠機(jī)，達(dá)74%；依次是清洗設(shè)備，為31%；氧化擴(kuò)散，29%；離子體干法刻蝕機(jī)，國(guó)產(chǎn)化率為22%；化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)，為21%。目前，國(guó)內(nèi)廠商在檢測(cè)設(shè)備、刻蝕設(shè)備、PVD和CVD設(shè)備、氧化擴(kuò)散設(shè)備等已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了部分國(guó)產(chǎn)替代，特別是檢測(cè)設(shè)備替代速度較快。

設(shè)備板塊空間廣闊 

中國(guó)作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者，半導(dǎo)體設(shè)備增速顯著高于全球。根據(jù) SEMI 統(tǒng)計(jì)，2021 年銷售額增長(zhǎng) 58%，達(dá)到 296 億美元，占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的 28.86%，第二次成為全球半導(dǎo)體設(shè)備的市場(chǎng)。
目前全球半導(dǎo)體以美國(guó)和日本廠商為主，包括美國(guó)的應(yīng)用材料（AMAT）和 泛林半導(dǎo)體（Lam Research），日本的東京電子（TEL）和日立高新（HITACHI）等國(guó)際知名企業(yè)。除此以外，荷蘭的ASML憑借光刻機(jī)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色。
據(jù)IC TIME分析，國(guó)內(nèi)特別是面向先進(jìn)制程的光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等核心設(shè)備還處于相對(duì)空白。國(guó)內(nèi)具備光刻機(jī)生產(chǎn)能力的企業(yè)主要是上海微電子裝備有限公司。
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān)以及國(guó)家項(xiàng)目的支持，目前能滿足下游晶圓廠商大部分成熟制程（28nm及以上的邏輯芯片等）以及少部分先進(jìn)制程的需求。在28nm及以上的邏輯芯片、128層以下的NAND存儲(chǔ)芯片以及20nm以上的DRAM芯片的主要設(shè)備中，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商實(shí)現(xiàn)了工藝、技術(shù)和產(chǎn)品的大部分覆蓋，包括刻蝕、薄膜沉積、清洗、涂膠顯影等環(huán)節(jié)。
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)等設(shè)備市場(chǎng)具備一定的市場(chǎng)份額優(yōu)勢(shì)，在沉積、CMP以及測(cè)試機(jī)等核心工藝環(huán)節(jié)已與海外傳統(tǒng)廠商形成了初步的技術(shù)對(duì)標(biāo)。以北方華創(chuàng)等為代表的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司不斷完善產(chǎn)品的平臺(tái)化布局。另一方面，以拓荊科技、華海清科等為代表國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司在各自專長(zhǎng)的領(lǐng)域內(nèi)已占據(jù)了領(lǐng)先的供應(yīng)份額，不斷夯實(shí)技術(shù)和市場(chǎng)壁壘。

 國(guó)產(chǎn)替代仍需加足馬力

隨著摩爾定律趨近極限，極尖端的半導(dǎo)體設(shè)備至關(guān)重要且市場(chǎng)廣闊。半導(dǎo)體集成電路的前后道工藝都十分復(fù)雜，涉及多種工藝和設(shè)備。盡管國(guó)內(nèi)有北方華創(chuàng)、中微公司等，但是實(shí)際上不同工藝、不同節(jié)點(diǎn)、不同產(chǎn)品，同類設(shè)備差別也很巨大。目前雖能滿足部分成熟制程（28nm以上）的需求，但是14nm以下先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)卻很少，還有很多東西需要補(bǔ)足。

當(dāng)下棘手的是光刻機(jī)設(shè)備的研發(fā)，雖說上海微電子等企業(yè)在光刻機(jī)領(lǐng)域正進(jìn)行不斷的技術(shù)攻關(guān)探索，但整體實(shí)力與國(guó)際龍頭還相距甚遠(yuǎn)。

除了光刻機(jī)之外，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在各自領(lǐng)域的一些先進(jìn)制程環(huán)節(jié)存在短板，包括深溝槽的刻蝕設(shè)備、先進(jìn)的原子層沉積設(shè)備、量測(cè)設(shè)備等。國(guó)產(chǎn)高端晶圓制造設(shè)備嚴(yán)重不足，光刻機(jī)之外的薄膜沉積設(shè)備、CMP設(shè)備、離子注入機(jī)等前道設(shè)備也都被國(guó)外壟斷。

當(dāng)前由于外部諸多限制，中國(guó)先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張受限，目前，產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)都在嘗試攻關(guān)半導(dǎo)體核心設(shè)備，但半導(dǎo)體設(shè)備要做到完全國(guó)產(chǎn)替代還是有一定難度，比如，光刻機(jī)自身涉及到光源、鏡頭等多個(gè)零組件的難題是一個(gè)系統(tǒng)工程；人才方面，美國(guó)、日本、歐洲等地半導(dǎo)體設(shè)備人才優(yōu)勢(shì)大，各國(guó)都在以提高薪資和補(bǔ)貼的方式吸引及留住人才，而人才的吸引是半導(dǎo)體行業(yè)的核心攻堅(jiān)戰(zhàn)，國(guó)產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)，在人才上有一定阻礙。

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