目前，HBM 制造的關(guān)鍵是TSV 工藝，它的目的是會在芯片上打孔。它不是像引線框架那樣的傳統(tǒng)布線過程，其中引腳（即信息入口 （I/O））被拉出并通過電線連接。在芯片的中間鉆一個孔，并填充可以很好地傳輸電信號的材料，例如銅 （Cu），HBM 的 I/O 數(shù)量為 1024，這意味著 TSV 在芯片上鉆了 1024 個孔。這是一根由 1,024 個孔制成的銅線，每根電線都巧妙地連接到另一個 DRAM 芯片的電線上，形成一條長長的信號高速公路。

TSV技術(shù)在芯片內(nèi)部提供了一個直接的連接通道，在連接到其他芯片時，最大限度地減少了連接的長度。這樣可以減少電阻并加快數(shù)據(jù)傳輸速度。該過程是在晶圓廠內(nèi)部執(zhí)行的整個過程的領(lǐng)域，并按以下順序進行:

- 在硅晶圓上形成 TSV 的方法包括 DRIE（深反應(yīng)離子蝕刻）、金屬輔助化學(xué)蝕刻和使用激光的方法。形成TSV常用的有DRIE法，還有使用Nd YAG的激光打孔法等。由于通孔內(nèi)部不均勻、粗糙以及在硅片外表面上形成硅熔渣的問題，激光打孔方法在應(yīng)用中存在局限性。DRIE 技術(shù)被認(rèn)為是最常用的技術(shù)，在大約 95% 的情況下用于形成精細通孔。

1) DRAM工藝結(jié)束時的通孔形成:

- >蝕刻是在孔形成過程中進行的，通過在蝕刻部位沉積形成絕緣膜。然后在TSV的孔內(nèi)填充銅后, 用CMP工藝將其打磨平；

- >CMP磨平后，后道開始金屬化工藝過程(BEOL, 后端金屬走線工藝)；

- >晶圓正面形成焊料凸塊；

通過研磨去除晶圓底面到一定厚度。

3)芯片切割，一般用激光隱形切割工藝完成。

4)DRAM芯片堆疊在buffer晶圓的頂部。

5) CoWoS工藝

然而，隨著MR-MUF技術(shù)的發(fā)展也轉(zhuǎn)移到HBM3 12層，此時需要一種新技術(shù)(WSS技術(shù))來顯著減少晶圓的翹曲，同時晶圓將繼續(xù)變薄。

-WSS(Wafer support system),一種使用載體晶圓的工藝，以防止隨著晶圓變薄而發(fā)生的晶圓翹曲。

用臨時粘合劑將帶有凸塊的晶圓的正面連接到載體晶圓上，然后研磨背面以使晶圓更薄(WaferThinning)。因為它附著在載體晶圓上，所以較薄的晶圓不會彎曲。

使用此結(jié)構(gòu)在較薄的晶圓背面形成凸起。當(dāng)在晶圓的正面和背面形成凸塊時，核心晶圓被剝離(載體去鍵合)，像傳統(tǒng)封裝工藝一樣被貼在圓形框架上，并執(zhí)行晶圓切割(鋸切/切割)?；愿街谳d體晶圓上，從核心晶圓上切下的芯片被移除，芯片堆疊在基片上。

*晶圓鍵合工藝

TC鍵合是一種“熱壓縮”方法，堆疊DRAM芯片連接后，將加熱的(熱·Thermo)用斗牢牢地壓在頂部(壓力·壓縮)。在粘接TC時，在DRAM芯片之間放置一層稱為NCF的“絕緣膜”。當(dāng)超過一定溫度時，薄膜會熔化并在凸塊之間產(chǎn)生連接，使兩個芯片像鍵合劑一樣固定到位，并填充芯片之間的空間(稱為底部填充)。它還充當(dāng)絕緣體，以控制凸塊和電線之外的電流。眾所周知，NCF是丙烯酸等材料與環(huán)氧樹脂的混合物，環(huán)氧樹脂通常用作粘合劑材料。無論機器粘接TC有多復(fù)雜，將施加在芯片上的熱量和壓力一致地傳遞到 1024個凸塊并不容易。除了用于傳輸電信號的1024根線外，芯片下方還有一個稱為“假凸塊(dummy bump)”的輔助元件，用于吸收各處產(chǎn)生的熱量。假凸塊的增加使得很難在整個區(qū)域均勻地分配物理能量。

在連接芯片之前，一般還對 DRAM 的背面進行研磨，使其更薄、更高。如果將其研磨到不均勻的厚度，切屑上的壓力會再次發(fā)生變化，造成不良率高。此外，TC鍵合是一個對每個芯片施加壓力的過程，因此不可能一次批量制造許多芯片。

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