BV_gox的測試條件

柵氧化層電容的介質(zhì)是二氧化硅.由于二氧化硅是絕緣體，在一般情況下是不導(dǎo)電的。但是當(dāng)有一個外加電場存在時，隨著外加電場的不斷增大，當(dāng)外加電場強(qiáng)度所提供的能量足以把一部分價帶的電子激發(fā)到導(dǎo)帶時，這個時候二氧化硅不再表現(xiàn)為絕緣性質(zhì)，而是開始導(dǎo)電，這個時候所加的外加電壓的值就是我們所測試的電容擊穿電壓值。

測量NMOS柵氧化層擊穿電壓BV_gox，首先在柵電容的一端多晶硅柵上加載DC掃描電壓，V_g從0V到12V，另一端PW襯底接地，測試電流I_g，得到V_g在I_g/Area=100 pA/um*2時的值，BV_gox=V_g就是擊穿電壓。

測量PMOS柵氧化層擊穿電壓BV_gox，首先在柵電容的一端襯底上加載DC掃描電壓，V_b從0V到12V，另一端多晶硅柵接地，測試電流I_b，得到V_b在I_b/Area=100 pA/um*2時的值，BV_gox=V_b就是擊穿電壓。

影響電容BV_gox的因素與影響電容C_gox的因素類似。

寄生MOS參數(shù)的測試結(jié)構(gòu)

CMOS工藝技術(shù)平臺的寄生MOS晶體管的結(jié)構(gòu)分別是Poly柵和M1柵場效應(yīng)晶體管測試結(jié)構(gòu)，它們的版圖尺寸是依把工藝技術(shù)平臺的設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)計(jì)的。

Poly柵場效應(yīng)晶體管測試結(jié)構(gòu)。

M1柵場效應(yīng)品體管測試結(jié)構(gòu)。

寄生MOS參數(shù)Vt測試條件

測量Poly柵和M1柵場效應(yīng)晶體管的閾值電壓V_t的基本原理是電流常數(shù)測量，首先設(shè)定當(dāng)I_d=0.1uA時，Poly柵和Metal 1柵場效應(yīng)晶體管開啟導(dǎo)通，此時的柵極電壓就是晶體管的閾值電壓。

測量Poly和M1柵NMOS閥值電壓V_t，首先設(shè)定V_d=1.1*VDD或者1.1*VDDA，V_s=V_b=0V，線性掃描V_g，從0V到12V，測得V_g在I_d/W=0.1uA/um時的值，那么V_t=V_g。

測量Poly和M1柵PMOS閥值電壓V_t，首先設(shè)定V_d=﹣1.1*VDD或者﹣1.1*VDDA，V_s=V_b=0V，線性掃描V_g，從0V到﹣12V，測得V_g在I_d/W=﹣0.1uA/um時的值，那么V_t=V_g。

影響Poly和M1柵場效應(yīng)晶體管閾值電壓的因素

阱離子注入異常；離子注入損傷在退火過程中沒有激活；AA或多晶硅柵刻蝕后尺寸的異常。

PN結(jié)參數(shù)的測試條件

CMOS工藝技術(shù)平臺的PN結(jié)的測試結(jié)構(gòu)是n型二極管和p型二極管的二極管結(jié)構(gòu)，它們的版圖尺寸是依據(jù)工藝技術(shù)平臺的設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)計(jì)的。

電容C_jun的測試條件

測量n型二極管和p型二極管的電容C_jun的基本原理是在二極管的一端加載AC 100 KHz掃描電壓，另--端接地，從而測得電容C，C_jun=C/Area，Area是電容的面積。

測量n型二極管電容C_jun，首先在n型二極管的一端n型有源區(qū)上加載AC 100 KHz(VDD或者VDDA)掃描電壓，另一端PW上接地，從而測得電容C，C_jun=C/Area。

測量p型二極管電容C_jun，首先在p型二極管的一端NW襯底上加載AC 100 KHz(VDD或者VDDA)掃描電壓，另一端P型有源區(qū)上接地，從而測得電容C，C_jun=C/Area。

影響PN結(jié)電容C_jun的因素

阱離子注入異常；N+或者P+離子注入異常；離子注入損傷在退火過程中沒有激活；AA刻蝕尺寸異常。