目前，晶圓測試是晶圓制造過程中必不可少的一部分。在早期的半導(dǎo)體制造中，每個(gè)芯片是在成型、切塊、包裝后進(jìn)行測試的。由于這種做法成本高且效率低，在1970年首次引進(jìn)了一種更有效的晶圓級測試過程，但這種方法直到80年代末才被廣泛應(yīng)用。這些晶圓需要進(jìn)行一個(gè)簡單的測試，用一些電子參數(shù)來確定功能正常的芯片的比例，也稱為良率，然后將其切成小塊并單獨(dú)包裝。然而，由于半導(dǎo)體的應(yīng)用及相關(guān)要求的快速發(fā)展，其他參數(shù)也變得越來越重要，即溫度和溫度調(diào)節(jié)。

溫度一直是晶圓測試的關(guān)鍵參數(shù)，目前主要有三種應(yīng)用：

1.根據(jù)Arrhenius的方程原理，半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)識到溫度可以用來估計(jì)設(shè)備的壽命，因此，用溫度測試來確定高溫工作壽命（HTOL:High-temperature Operating Life）。

2.有特定用途的設(shè)備，如應(yīng)用于空間、戶外和汽車，需要承受更惡劣的環(huán)境和廣泛的溫度范圍。例如，所有的汽車芯片通常需要在-40℃到+150℃的范圍內(nèi)進(jìn)行測試。

3.高壓芯片（例如高性能微處理器）的電子測試和大規(guī)模并行測試（DRAM和NAND芯片）是業(yè)界公認(rèn)的挑戰(zhàn)，需要迅速有效的冷卻以避免燒壞芯片。

隨著更加先進(jìn)的技術(shù)的出現(xiàn)，晶圓的尺寸每隔1.5~ 2年就會(huì)縮小，上述應(yīng)用只是晶圓測試溫度管理需求的冰山一角。

在晶圓測試中能否滿足這些溫度挑戰(zhàn)通常取決于晶圓卡盤，它用于測試各種溫度，因此通常被稱為溫度卡盤。隨著溫度測試的發(fā)展，溫度卡盤和探針臺制造商面臨著越來越大的壓力，需要滿足行業(yè)所需的規(guī)格，同時(shí)降低測試時(shí)間，提高可靠性和效率。

Temptronic ThermoChuck 晶圓測試系統(tǒng)利用高低溫技術(shù)精確控制晶圓卡盤的溫度，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制程晶圓級測試；常搭配晶圓探針臺使用，提供 -65 至 +300°C 高低溫測試環(huán)境，適用于晶圓 150 mm（6寸）、200 mm（8寸）、300 mm（12寸） ，可用于激光微調(diào) Laser Trim 和晶圓老化 Burn-in 測試，如：低泄漏探測(fA)和高電壓探測(10 kv)，適用于晶圓、芯片在電時(shí)高低溫環(huán)境下的特性描述、失效分析等。

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