芯片測試幾乎都離不開溫度沖擊試驗，IGBT芯片更是要經(jīng)過無數(shù)次的可靠性試驗才能保證安全高效的投放使用，IGBT需要用溫度沖擊試驗機做一些環(huán)境可靠性試驗。常見的工業(yè)級IGBT可靠性試驗包含但不限于以下項目：

（1）HTRB（高溫反偏）試驗：HTRB試驗用于驗證穩(wěn)定情況下IGBT的漏電指標可靠性。HTRB試驗主要考核焦點是IGBT芯片邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層，以及與生產(chǎn)相關(guān)的離子污染物。在HTRB試驗過程中一般可以監(jiān)測到漏電流隨時間的變化。

（2）HTGB（高溫柵極反偏）試驗：HTGB試驗用于驗證在電和熱負載下柵極漏電流的穩(wěn)定性。HTGB試驗主要考核的焦點是IGBT的柵極氧化層的完整性及移動離子污染。建議在試驗中，持續(xù)監(jiān)測柵極的漏電流和柵極開通電壓，若這兩項參數(shù)超出指定規(guī)格，則認為模塊將不能通過此項測試。

（3）H3TRB（高溫高濕反偏）試驗：H3TRB試驗用于測試濕度對功率器件長期特性的影響。H3TRB試驗的焦點是IGBT的鈍化層及芯片表面缺陷，包括整個器件結(jié)構(gòu)中的薄弱環(huán)節(jié)。值得注意的是，在H3TRB試驗后立即測量漏電流有可能出現(xiàn)漏電超標的情況，其原因是大多數(shù)模塊設(shè)計不是完全密封，水汽也可以隨著時間到達鈍化層，導(dǎo)致試驗后漏電超差。因此，可以對器件烘烤2h～24h并恢復(fù)常溫24h后，再測試器件的漏電流，驗證水汽入侵的可能性。

（4）TST（溫度沖擊）試驗：TST試驗主要驗證IGBT在被動溫度變化的情況下對機械應(yīng)力的抵抗能力。TST試驗考核焦點是IGBT模塊的封裝、基板與DCB間的連接。

（5）TC（溫度循環(huán)）試驗： TC試驗用于模擬外界溫度變化對IGBT的影響，驗證器件或模塊的整體結(jié)構(gòu)和材料。尤其是IGBT功率模塊由不同的材料組成一個系統(tǒng)，當受熱和冷卻時，不同材料的熱膨脹系數(shù)差異大，兩種界面在受熱或冷卻過程中所受的機械應(yīng)力就越大。TC試驗的焦點是IGBT芯片與DCB、DCB與基板之間的連接。

（6）PC（功率循環(huán)）試驗：功率循環(huán)有秒級功率循環(huán)（PCsec）和分鐘級功率循環(huán)（PCmin）兩種，測試時通過芯片自身工作電流進行主動加熱芯片至目標溫度，然后關(guān)斷電流，冷卻到指定溫度。秒級功率循環(huán)試驗主要考核近芯片端連接的可靠性；分鐘級功率循環(huán)試驗主要考核近芯片端和遠芯片端連接的可靠性。

中冷低溫科技研發(fā)的ThermoTST 580擁有廣泛的溫度范圍-80℃到+225℃，溫度轉(zhuǎn)換從-55℃到+125℃之間轉(zhuǎn)換約10秒，能滿足IGBT溫度沖擊試驗的要求。同時也能做特性分析、高低溫溫變測試、失效分析等可靠性試驗，如：芯片、微電子器件、集成電路（SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等）

閃存Flash、UFS、eMMC、PCBs、MCMs、MEMS、IGBT、傳感器、小型模塊組件、光通訊（如：收發(fā)器 Transceiver 高低溫測試、SFP 光模塊高低溫測試等）其它電子行業(yè)、航空航天新材料、實驗室研究。

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