進(jìn)行失效分析的設(shè)備
去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時(shí)依然無(wú)法觀察到失效點(diǎn),這時(shí)候就需要對(duì)芯片進(jìn)行進(jìn)一步處理,對(duì)于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來(lái)逐一去除,直至一層金屬化和介質(zhì)層。去玩所有的金屬化層和介質(zhì)層后,有時(shí)候還需要去除多晶硅層、氧化層等直至露出硅本體。
由于層間介質(zhì)的材料與鈍化層材料種類基本相同,因此層間介質(zhì)的去除也是類似的,也是主要分為干法腐蝕和濕法腐蝕兩種。這里值得注意的是,以成都中冷低溫的高低溫沖擊設(shè)備TS-580為例,其能夠提供特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)。
高低溫沖擊設(shè)備的應(yīng)用
高低溫沖擊氣流儀如今十分活躍在電子元器件/模塊冷熱測(cè)試領(lǐng)域。因?yàn)樗谶M(jìn)行恒溫測(cè)試時(shí)具有穩(wěn)定性,可以穩(wěn)定的維持在某個(gè)溫度點(diǎn).精度可達(dá)±1℃;在做溫度沖擊時(shí)溫變速度之快,:-55℃~+125℃ <10秒 ;真正達(dá)到溫度“沖擊”目的; 溫度變化時(shí)間具有可控制性以及操作可程序化。
現(xiàn)階段高低溫沖擊設(shè)備TS-580主要應(yīng)用在以下方面:
芯片、微電子器件、集成電路(SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等)
閃存Flash、UFS、eMMC
PCBs、MCMs、MEMS、IGBT、傳感器、小型模塊組件光通訊(如:收發(fā)器 Transceiver 高低溫測(cè)試、SFP 光模塊高低溫測(cè)試等)
其它電子行業(yè)、航空航天新材料、實(shí)驗(yàn)室研究。
1、試驗(yàn)機(jī)輸出氣流罩將被測(cè)試品罩住,形成一個(gè)較密閉空間的測(cè)試腔,試驗(yàn)機(jī)輸出的高溫或低溫氣流,使被測(cè)試品表面溫度發(fā)生劇烈變化,從而完成相應(yīng)的高低溫沖擊試驗(yàn);
2、可針對(duì)眾多元器件中的某一單個(gè)IC或其它元件,將其隔離出來(lái)單獨(dú)進(jìn)行高低溫沖擊,而不影響周邊其它器件,與傳統(tǒng)冷熱沖擊試驗(yàn)箱相比,溫變變化沖擊速率更快。