一、碳化硅SIC MOSFET特性

          Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。
         IGBT通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。
         SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。

         隨著SiC MOSFET制備技術(shù)的改進(jìn)和驅(qū)動問題的解決，其將在電力電子的高頻開關(guān)領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。

二、碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點(diǎn)

         碳化硅MOS優(yōu)點(diǎn)：高頻高效，高耐壓，高可靠性。 可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。相對應(yīng)于傳統(tǒng)MOSFET以及IGBT有以下優(yōu)點(diǎn)：

1、高工作頻率：傳統(tǒng)MOSFET工作頻率在60KHZ左右，而碳化硅MOSFET在1MHZ。

用途：高頻工作，可以減小電源系統(tǒng)中電容以及電感或變壓器的體積，降低電源成本，讓電源實(shí)現(xiàn)小型化，美觀化。從而實(shí)現(xiàn)電源的升級換代。

2、低導(dǎo)通阻抗，碳化硅MOSFET單管小的內(nèi)阻可以達(dá)到15毫歐，這對于傳統(tǒng)的MOSFET看來是不可想象的。

用途：輕松達(dá)到能效要求，減少散熱片使用，降低電源體積和重量，電源溫度更低，可靠性更高。

3、耐壓高，碳化硅MOSFET目前量產(chǎn)的耐壓可達(dá)3300V，一般MOSFET耐壓900V,IGBT常見耐壓1200V。

4、耐高溫，碳化硅MOSFET芯片結(jié)溫可達(dá)300度，可靠性，穩(wěn)定性大大高于傳統(tǒng)MOSFET。

所以使用碳化硅MOSFET可以讓電源實(shí)現(xiàn)高效率，小體積，在一些高溫，高壓環(huán)境，必用不可。