存儲器芯片在電子系統(tǒng)中負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲，是半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品的核心，其存儲量與讀取速度直接影響電子設(shè)備性能。存儲器按照掉電后是否保存數(shù)據(jù)，可以分為易失性存儲和非易失性存儲。易失性存儲主要以隨機(jī)存取器 RAM 為主，使用量最大的為動態(tài)隨機(jī)存儲 DRAM，例如廣泛存在于電子產(chǎn)品中的內(nèi)存條。非易失性存儲中最常見的有 NOR Flash 與 NAND Flash。存儲芯片在出廠時需要很多測試，芯片在快速變溫過程中的穩(wěn)定性尤為重要, 中冷高低溫?zé)崃鲀x具有更廣泛的溫度范圍-70℃到+225℃，提供了很強(qiáng)的溫度轉(zhuǎn)換測試能力。溫度轉(zhuǎn)換從-55℃到+125℃之間轉(zhuǎn)換約10秒 , 滿足 Flash 及 DRAM 存儲器的研發(fā)設(shè)計需求, 為存儲芯片提供快速可靠的測試環(huán)境.

     某知名存儲芯片設(shè)計公司, 主要產(chǎn)品Flash及DRAM存儲器，為了測試研發(fā)中存儲芯片的運作特性, 同時用于失效芯片在不同溫度下的快速故障診斷，推薦使用ThermoTST TS-560 搭配愛德萬 Advantest 內(nèi)存 IC 測試系統(tǒng)。

      存儲器芯片高低溫測試方法: 高低溫?zé)崃鲀x溫度區(qū)間設(shè)置為 -55℃ 至 +125℃, 快速實現(xiàn)極端溫度下閃存的運作特性, 如電壓, 電流等. 閃存多采用DUT 模式來進(jìn)行高低溫循環(huán)測式, 將閃存與T型熱電偶相互連接, 即可精確掌控受測物達(dá)到機(jī)臺所設(shè)定之溫度. 閃存高低溫測試方法同樣適合內(nèi)嵌式記憶體 eMMC 溫度測試.

ThermoTST TS-560 技術(shù)參數(shù)