一 、碳化硅（SiCk）源于材料特性的益處：
①阻斷電壓更高，導(dǎo)通電阻更低
②在高壓中以單極性工作→降低功率損耗，提高效率
③在高壓中高速開關(guān)運作→簡化系統(tǒng)設(shè)計
④更高的抗宇宙射線故障能力
二、CoolSiCTM MOSFET碳化硅的好處和目標(biāo)應(yīng)用：
半導(dǎo)體設(shè)計的持續(xù)發(fā)展趨勢，是在降低開關(guān)損耗的基礎(chǔ)上，提高功率密度，從而使用更小的散熱器，同時提高工作頻率，縮小磁性元件尺寸。
三、節(jié)能及系統(tǒng)集成度推動電力電子應(yīng)用的發(fā)展
1、采用現(xiàn)代溝槽CoolSiCTM技術(shù)帶來了新機遇
平面DMOS：在導(dǎo)通狀態(tài)下，需要在性能及柵極氧化層可靠性之間作取舍；
溝槽Trench：在不違反柵極氧化層可靠性的條件下，更容易達(dá)到性能要求。
在相當(dāng)于IGBT的可靠性水平時達(dá)到較佳的Rdson
2、CoolSiCTM MOSFE具有與Si IGBT接近的氧化層可靠性：
①與現(xiàn)有的SiC MOSFET相比，具有出色的可靠性；
②可靠性接近Si IGBT
四、擴展可靠性測試及應(yīng)用相關(guān)測試
①當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)中的可靠性測試不足以滿足未來戶外應(yīng)用的要求；
②測試新型SiC溝道MOSFET使用高于這些標(biāo)準(zhǔn)的可靠性測試及應(yīng)用相關(guān)測試；
③進行了靜態(tài)和動態(tài)測試。
中冷低溫科技研發(fā)的ThermoStream TS-780高低溫沖擊氣流儀的性能達(dá)到了極高的標(biāo)準(zhǔn)。能夠應(yīng)用于特性分析、高低溫溫變測試、溫度沖擊測試、失效分析等可靠性試驗如：IGBT的試驗也可以使用該氣流儀，不僅如此，這些也同樣可用TS-780做測試：芯片、微電子器件、集成電路（SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等）；閃存Flash、UFS、eMMC；PCBs、MCMs、MEMS、傳感器、小型模塊組件；光通訊（如：收發(fā)器 Transceiver 高低溫測試、SFP 光模塊高低溫測試等）；以及其它電子行業(yè)、航空航天新材料、實驗室研究。TS-780溫度轉(zhuǎn)換從-55℃到+125℃之間轉(zhuǎn)換約10秒，并有更廣泛的溫度范圍-80℃到+225℃；經(jīng)長期的多工況驗證，能滿足更多生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。TS-780是純機械制冷，無需液氮或任何其他消耗性制冷劑，溫度轉(zhuǎn)換速率快，·溫控精度±1℃，顯示精度±0.1℃，氣流量可高達(dá)18SCFM，用TS-780做可靠性試驗不僅減少了器件潛在的各種誤差及失效機制，還有效地控制和保證器件的可靠性。
