WAT測試結(jié)構(gòu)通常包含該工藝平臺所有的有源器件和無源器件，例如方塊電阻通孔接觸電阻、電容阻值、金屬導(dǎo)線電阻、MOS晶體管等。根據(jù)CMOS工藝技術(shù)平臺的特點，可以把WAT測試類型分為八大類：MOS晶體管、柵氧化層的完整性、多晶硅柵場效應(yīng)晶體管（Poly Field Device）和第1層金屬柵場效應(yīng)晶體管（Metal 1 Field Device）、N型結(jié)(N-diode結(jié)構(gòu))和P型結(jié)（P-diode結(jié)構(gòu)）、金屬電容（MIM Capacitor）和多晶硅電容（PIP Capacitor）、方塊電阻Rs（Sheet Resistance）、接觸電阻Re（Contact Resistance）和隔離等。

WAT測試類型

WAT測試參數(shù)可以分為以下八大類：

①MOS晶體管包括低壓NMOS和PMOS，以及中亞NMOS和PMOS的參數(shù)：

閾值電壓（Vt）、飽和電流（Idsat）、源漏擊穿電壓（BVD）、漏電流（Ioff）、襯底電流（Isub）

②柵氧化層完整性（Gate Oxide Integrity -GOI）的參數(shù)：

GOI電容（Cgox）、GOI擊穿電流（BVgox）、GOI電性厚度（Tgox）

③多晶硅柵場效應(yīng)晶體管和第1層金屬柵場效應(yīng)晶體管的參數(shù)：

多晶硅柵Vt Poly Field、第1層金屬柵Vt M1 Field

④N型結(jié)和P型結(jié)的參數(shù)：

結(jié)電容Cjun、結(jié)擊穿電壓BCjun

⑤方塊電阻Rs的參數(shù)：

N型多晶硅金屬硅化物方塊電阻（Rs NPoly）、N型多晶硅非金屬硅化物方塊電阻（Rs Npoly SAB、）P型多晶硅金屬硅化物方塊電阻（Rs PPoly）、N型多晶硅非金屬硅化物方塊電阻（Rs Ppoly SAB、）NW方塊電阻（Rs NW）、PW方塊電阻（Rs PW）、N型有源區(qū)金屬硅化物方塊電阻（Rs NAA）、N型有源區(qū)非金屬硅化物方塊電阻（Rs NAA SAB）、P型有源區(qū)金屬硅化物方塊電阻（Rs PAA）、P型有源區(qū)非金屬硅化物方塊電阻（Rs PAA SAB）、金屬方塊電阻（Rs M1，Rs M2和Rs M3）

⑥接觸電阻Re的參數(shù):

N型多晶硅接觸電阻（Rc Npoly）、P型多晶硅接觸電阻（Rc PPoly）、通孔接觸電阻（Rc VIA1，Rc VIA2和Rc VIA3）、N型有源區(qū)接觸電阻（Rc NAA）、P型有源區(qū)接觸電阻（Rc PAA）

⑦隔離的參數(shù):

N型多晶硅擊穿電壓（BV Npoly）、P型多晶硅擊穿電壓（BV PPoly）、金屬擊穿電壓（BV M1，BV M2和BV M3）、N型有源區(qū)接觸電阻（Rc NAA）、P型有源區(qū)接觸電阻（Rc PAA）

⑧金屬電容和多晶硅電容的參數(shù)：

電容CMIM、擊穿電壓BVMIM、電容CPIP、擊穿電壓BVPIP