磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 是一種非易失性 (Non-Volatile) 的磁性隨機存儲器，它依賴于兩個鐵磁層的（相對）磁化狀態(tài)來存儲二進(jìn)制信息。它擁有靜態(tài)隨機存儲器 (SRAM) 的高速讀取寫入能力, 以及動態(tài)隨機存儲器 (DRAM) 的高集成度, 而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入. MRAM作為新型NVM的一種，具有接近零的靜態(tài)功耗，較高的讀寫速度，與互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝相兼容等優(yōu)點，在車用電子與穿戴設(shè)備等領(lǐng)域已實現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用。

         12寸存儲器 MRAM 技術(shù)封裝后的器件需要在 -40 °C 至 125°C 進(jìn)行快速高低溫沖擊測試。中冷低溫科技研發(fā)的ThermoTST TS760高低溫循環(huán)測試系統(tǒng)的典型溫度轉(zhuǎn)換率: -55 oC 至 + 125 oC 約10秒，滿足 MRAM 的研發(fā)測試要求，同時可應(yīng)用于產(chǎn)品的特性分析、高低溫溫變測試、溫度沖擊測試、失效分析等可靠性試驗，如：芯片、微電子器件、集成電路（SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等）閃存Flash、UFS、eMMC、PCBs、MCMs、MEMS、IGBT、傳感器、小型模塊組件、光通訊（如：收發(fā)器 Transceiver 高低溫測試、SFP 光模塊高低溫測試等）、其它電子行業(yè)、航空航天新材料、實驗室研究。

ThermoTST TS760高低溫循環(huán)測試系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)：  

溫度范圍: -70 oC 至 + 225 oC
典型溫度轉(zhuǎn)換率: -55 oC 至 + 125 oC 約10秒

輸出氣流量: 4 至 18 scfm
溫度精度: ±1℃

顯示精度: ±0.1℃

出氣流量：4 ~ 18 SCFM（1.9L/s ~ 8.5L/S）
溫度控制: 內(nèi)部：TC，遠(yuǎn)程/外部：T， K

與傳統(tǒng)高低溫測試箱對比, ThermoTST TS760高低溫循環(huán)測試系統(tǒng)主要優(yōu)勢：
1. 升降溫速率非常迅速，-55℃～125℃約10秒。
2. 溫控精度：±1℃。
3. 可以進(jìn)行IC的在線式測試，實時監(jiān)測出溫度沖擊所帶來的性能變化。
4. 如果一塊PCB板上有很多元器件，但你只需要針對其中的某一個IC 單獨進(jìn)行高低溫沖擊而不影響周邊其它元器件
5. 對測試機平臺load board上的IC進(jìn)行溫度循環(huán)或沖擊；傳統(tǒng)溫箱無法針對此類測試。6. 可以針對整塊PCB板提供溫度環(huán)境或高低溫沖擊。